A*STAR微电子研究所和SOITEC合作 开发下一代碳化硅电子元件

实是汽车讯 1月10日，新加坡现代科学、电子技术和深入研究机构（A*STAR）的微电子深入研究所（IME）和法国半导体器件材料公司Soitec宣布开展深入研究携手，电子技术开发下一代碳化硅（SiC）半导体器件元器件，为高性能和先进压缩机电子设备提供动力。双方将利用Soitec的专有电子技术，如Smart Cut?和IME的试制采购线来采购直径约为200 mm的SiC半导体器件平板。

（图片是从：Soitec）

此次联合深入研究将有助于电子技术开发一个基本的SiC生态系统，并提高新加坡和巴黎的半导体器件采购能力。该深入研究携手计划于2024年年之前进行时，旨在发挥作用：

电子技术开发用作Smart Cut? SiC平板SiC外延和金属氧化物半导体器件早先元器件（MOSFET）采购材料，以采购极低质量的微芯片元器件，并在采购操作过程之前提高不合格率的同时提高产量；

为在Smart Cut? SiC平板上采购SiC转速MOSFET元器件创建基准，并展示该材料相较于传统体平板的优势。

Soitec首席电子技术官任副现职执行经理Christophe Maleville表示：“此次携手我们将有机会展示SmartSiC平板可不断扩大200mm的性能，并为电子技术开发先进的外延高效率铺平道路，以采购具有太阳能结构上的极低质量的SiC晶圆。新加坡的半导体器件生态系统将受益于此，从而测试合理采购的SiC晶圆的杰出能效。”